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大型設備基盤センター 物理・表面計測系

オージェ分析室

JAMP-9500F

設置場所

大型設備基盤センター(22号館) 4階410室

装置管理者・連絡先

この装置に関する相談・お問い合わせは 
aes***adm.nitech.ac.jp (メールをくださる時 *** を @ に変換して下さい)
までお寄せください。 この装置の設備取扱責任者、相談員、オペレーターは、
人員配置にてご確認ください。
2013年9月よりメールアドレスが変更しました。

装置の概要

オージェ電子分光装置とは、電子線を固体表面に照射した時に放出されるオージェ電子のエネルギーと強度を測定することにより、固体表面の元素分析を行うものです。特に本装置は、電界放出型電子銃を搭載しており、最小プローブ系3nm(二次電子分解能)、8nm(オージェ分析)という性能で、高い空間分解能が保障されています。さらにオージェ分析には、多重検出器付きの静電半球型アナライザー(HAS)を用いており、高エネルギー分解能で高感度のオージェ分析が可能で、オージェ分析による化学状態分析にも大きな威力を発揮することができます。本装置により、高分解能二次電子像による形態観察、高倍率でのオージェ像分析、ラインプロファイル分析、そしてイオンエッチングを併用したデプスプロファイル分析ができます。また中和銃の採用により、セラミックスなどの絶縁物の分析も可能となっています。



装置の主な仕様

電界放出型オージェ電子分光装置 JAMP−9500F

電子照射系
二次電子分解能 3nm(25kV, 10pA)
オージェ分析最小プローブ径 8nm(25kV, 1nA)
電子銃 ショットキー電界放出型
加速電圧 0.5〜30kV
プローブ電流 10-11〜2×10-7A
倍率 25〜500,000倍
オージェ電子分光器
アナライザ 静電半球型アナライザ(HSA)
エネルギー分解能 0.05%〜0.6%
感度 840,000cps、Cu-LMM、10kV、10nA
検出器 チャンネルトロン多重検出器
イオン銃
加速電圧 0.01〜4kV
イオン電流 3kVで2μA以上、10Vで0.03μA以上
中和機能 組込み
真空排気系
試料室到達真空度 5×10-8Pa以下
ベークアウトシステム 内部ヒータ組込み、自動制御
アプリケーション
データ収集 スペクトル、デプスプロファイル、ラインプロファイル、オージェ像、二次電子像
データ処理 定性・定量分析、微分・平滑化、画像処理、ピーク分離


分析試料

本装置は、金属、半導体、セラミックス及びそれらの複合材料などの分析に適用できます。但し、超高真空装置であるため真空に支障をきたすものは分析できません。試料形状としては板状(ウェーハー状)が標準ですが、試料ステージに保持できればどんな形状でも分析可能です。詳細は担当者にご相談下さい。



利用方法及び利用料金(学内)

ポータル内の機器分析受付システムから申請してください。
システムへのアクセス方法については学内利用案内をご確認ください。
装置の操作・分析は、担当者が行うこととしますが、操作方法を習得された方は利用者本人の操作によっても利用が可能です。

利用料金は、学内利用料金表をご参照ください。


学外の方へ

ご相談、または受託試験を希望される学外の方は、受託試験案内をご覧下さい。



         
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