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ご案内

大型設備基盤センター 物理・表面計測系

光電子分光室

IBS写真

イオンビームスパッタリング装置


設置場所

大型設備基盤センター(22号館)
4階409室

装置管理者・連絡先

この装置に関する相談・お問い合わせは
xps***adm.nitech.ac.jp (メールをくださる時 *** を @ に変換して下さい) までお寄せください。

この装置の設備取扱責任者、相談員、オペレーターは、人員配置にてご確認ください。
2013年9月よりメールアドレスが変更しました。

原理

IBS原理 本装置は、低エネルギーイオンビームを用いたスパッタリング法により、絶縁物・金属薄膜および各種化合物等、新素材の創成を目的とした薄膜作成装置です。また、アシスト用のイオン源及びE/B蒸発源を増設し、異種材料の複合成膜や表面改質等により、新機能材料の研究開発を行うことも可能です。





装置性能および仕様

イオンビームスパッタリング装置

IBS−2000BK(日本真空技術社製)
到達圧力 1×10−8Torr台
クライオポンプ(1500リットル/sec )を使用
プロセス圧力 1×10−4Torr台(Arガス)
ガス流量1〜5CCM(通常3.5CCM)
成膜速度 100〜150 A / min (ターゲット SiO
膜厚分布 50Φ基板に対して1000 A ±10%
基板加熱速度 最大400℃
基板近傍設置の熱電対による温度調整をダミー基板にて校正
基板回転 0〜10rpm(モーター駆動)
基板位置 ターゲット面より15cm
イオン銃 米国イオンテック社製3cmイオンガン



分析試料

ターゲットおよび基板
ターゲットサイズ 3インチの円板(板厚5ミリまで)で、銅製の円板(底部にM10のネジ)に固定する
ターゲットの数 ターゲットホルダーは4種類迄のターゲット材料が取り付け可能です。大気にさらすことなく多層膜作製ができます
基板サイズ 試料ステージ(55Φのアルミニウム製またはステンレス製の円板)にネジで固定できるものであればよい



利用方法及び利用料金(学内)

ポータル内の機器分析受付システムから申請してください。
システムへのアクセス方法については学内利用案内をご確認ください。
通常1試料の作成には6時間程度を要するので、予約は1日単位とします。作業は利用者が行ってください。また技術質問などの相談、お問い合わせは、
ib***iac.nitech.ac.jp (メールをくださる時 *** を @ に変換して下さい)
にて受け付けております。

利用料金は、学内利用料金表をご参照ください。


学外の方へ

ご相談、または受託試験を希望される学外の方は、受託試験案内をご覧下さい。



         
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